| 技術名稱 | 氮化鎵 (GaN) 電源技術晶片於高效率乙太網路供電 (PoE) 交換器及電力電子產品應用開發計畫 | ||
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| 計畫單位 | 易達通科技股份有限公司 | ||
| 計畫主持人 | 何俊穎 | ||
| 技術簡介 | 導入GaN HEMT之PoE電源模組，整合Totem-Pole PFC與高頻GaN CLLC架構，提供500 W輸出、92轉換效率及16 W/in³功率密度。透過高速切換、低損耗與小型化設計，降低AI資料中心機櫃網路設備的供電損耗及散熱負擔。 |
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| 科學突破性 | - |
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| 產業應用性 | 因應半導體製程設備、AI資料中心及高功率工業電子系統需求，採用GaN元件降低多級AC/DC與DC/DC轉換損耗，提升電源效率、功率密度及動態響應，適用於PoE Switch、AI Server Rack與高效率網通電源。 |
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- 聯絡人
- 何俊穎
- 電子信箱
- eddy890301@gmail.com
