本技術利用電灑沉積將超薄螢光奈米鑽石薄膜塗佈於半導體元件表面，結合鎖相光致發光熱影像與光偵測磁共振技術，實現運作中元件的奈米級即時溫度與磁場感測，熱點定位精度達30 nm，大幅突破傳統紅外線熱影像限制，充分展現量子感測技術於先進半導體檢測與失效分析上的優勢。

首度使用電灑法將螢光奈米鑽石量子探針沉積於半導體晶片表面，透過偵測光致螢光，建構高解析即時影像監測平台。本技術無需逐點掃描或繁瑣校正，即可動態追蹤元件熱區變化。直擊現行紅外線影像設備盲點，將定位精度提升百倍，為晶圓溫度量測提供低門檻、高精度的創新診斷方案。

針對先進半導體熱管理與漏電流定位痛點，本技術提供非破壞性、即時的高解析故障分析工具。無論是封裝前晶圓級測試的早期缺陷篩選，或是封裝後成品在真實負載下的散熱效能評估，皆能實現奈米級熱點檢測。本技術具備升級或取代現有紅外線熱影像設備的潛力，能助晶圓製造與IC設計廠縮短研發週期並大幅提升製程良率。