| 技術名稱 | 具同步電刺激雜訊阻隔技術之智慧型深部腦刺激系統單晶片應用於帕金森氏症精準治療 | ||
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| 計畫單位 | 國立陽明交通大學 | ||
| 計畫主持人 | 柯明道 | ||
| 技術簡介 | 本技術針對傳統閉迴路深腦刺激因電刺激雜訊導致感測盲區的臨床痛點,結合半導體晶片與臨床醫學,研發出具「同步電刺激雜訊阻隔(SSAB)」技術(美國專利號US12,616,829B2)的智慧型深腦刺激系統單晶片(iDBS SoC),以帕金森氏症的β頻帶共振作為生物標誌,實現精準治療的即時自動回饋刺激系統。 |
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| 科學突破性 | 本技術創新打造具自主調節力的智慧型深腦刺激系統單晶片(iDBS SoC),核心「同步電刺激雜訊阻隔(SSAB)」技術在電路層級實現微秒級同步雜訊消除,精準執行取樣、保持與屏蔽,雜訊進入感測端前即予以隔離,克服百萬倍壓差,達成「邊刺激、邊感測」設計。 |
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| 產業應用性 | 智慧型深腦刺激系統單晶片(iDBS SoC)突破傳統DBS無法同時感測與刺激的限制,以「同步電刺激雜訊阻隔(SSAB)」技術有效解決感測盲區,並已獲得美國發明專利。iDBS系統將感測、運算及刺激整合於單晶片自主運作,實現低功耗的精準治療,結合台灣半導體優勢,具高商業化與臨床轉譯潛力。 |
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