本技術建立金屬鈍化層擴散理論與選材準則，以金屬鈍化層保護銅表面，抑制銅氧化並降低接合溫度至攝氏150度以下乃至於接近室溫，結合無電鍍選擇性沉積，應用於現行Cu/SiO₂、Cu/Polymer混合接合(hybrid bonding)技術，大幅推進下一世代先進封裝與 3DIC 整合之產品與應用。

本技術以擴散原理做為金屬鈍化層選材準則，結合Ag與Au鈍化與選擇性沉積技術，可同時應用於Cu/SiO₂與Cu/高分子兩種混合接合(hybrid bonding)平台，透過抑制Cu氧化以大幅降低接合溫度至120°C乃至於接近室溫，並實現10秒快速接合，具備超低接觸電阻之優良電性與與通過可靠度驗證。

本技術以區域選擇性金屬鈍化層應用於Cu/SiO₂與Cu/高分子等兩種混合接合(Hybrid Bonding)平台，可大幅降低接合溫度至攝氏120度，除了減少熱預算與應力蹺曲，並可提升電性可靠度，進一步增加系統I/O密度與運行速度，適用於下世代AI與HPC系統所需之3DIC與先進封裝技術。