本技術以ALD金屬氧化物層作為金屬來源與附著模板,經氣相或液相轉換形成晶圓級MOF低介電薄膜,可應用於先進半導體low-k元件。
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可應用於先進半導體BEOL低介電層、絕緣層、阻障層與先進封裝,降低RC延遲、漏電與功耗,具晶圓級製程整合潛力。