| 技術名稱 | 整合氮化鎵高遷移率電晶體功率元件與新穎面射型雷射光源供先進光達系統應用 | ||
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| 計畫單位 | 國立陽明交通大學 | ||
| 計畫主持人 | 盧廷昌 | ||
| 技術簡介 | 本研究開發GaN HEMT、940/1550 nm PCSEL 及超穎介面,透過創新電路設計與覆晶整合,實現高密度、高速(5 ns、50 MHz)、高功率之脈衝雷射系統封裝光達光源。此外,完成PCSEL與超穎介面全像投影元件之單晶片整合,體積較商用點投影器縮小約2450倍,功耗降至71.3。 |
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| 科學突破性 | 主要創新在於開發新世代電子與光電元件技術,包括高電流高速 GaN HEMT、940/1550 nm 光子晶體面射型雷射(PCSEL)及超穎介面(Metasurface)。透過模組電路設計、覆晶封裝整合於AlN 高散熱基板,建構系統封裝(SoP)光達雷射光源,實現高功率、高速、小型化之固態光達技術。 |
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| 產業應用性 | 光達為自駕車、機器人與智慧感測之關鍵技術。本計畫整合GaN HEMT、新世代PCSEL及超穎介面開發光學相位陣列,開發長距離、高速、低功耗之固態光達光源。透過先進封裝,實現高可靠度、小型化及低成本光達模組,應用於智慧駕駛、工業自動化及3D感測。研究成果可延伸至AR/VR、光電元件與智慧製造。 |
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