• 技術名稱
  • 低溫半導體缺陷消除技術
  • 計畫單位
  • 國立中山大學
  • 展區位置
  • 電子與光電
  • 聯絡人
  • 陳敏甄
  • 電子信箱
  • iro926@gmail.com
技術說明 本團隊自主開發一種新的半導體製程技術與設備,能在低溫下(<250攝氏度)消除半導體元件中的材料缺陷,進而使半導體元件的特性提升、可靠度改善,該技術已多種半導體元件如LED、GaN 功率元件、SiC MOSFET上進行測試,都有明顯的特性提升效果。
科學突破性 在半導體製程技術中,一般常使用高溫退火及電漿方式來改善材料的缺陷問題。本團隊開發的低溫缺陷消除技術,其原理新穎,可以導入特定化學物質進入半導體材料中,並大幅鈍化材料缺陷,進而提升元件性能與可靠度。技術的突破性在於能在低溫(250°C)環境下,能有效消除材料缺陷。
產業應用性 本技術應用範圍廣泛,包含Si元件、寬能隙半導體((LED, GaN HEMT, SiC MOSFET),並且由於低溫的優勢,可以在IC製造中前段及後段製程皆可導入。
本網站使用您的Cookie於優化網站。繼續瀏覽網站即表示您同意本公司隱私權政策,您可至隱私權政策了解詳細資訊。