本技術以雲母平台為核心，利用凡得瓦磊晶特性，開發具原子級平整度之高品質單晶金屬（Cu, Ag, Pt, Co, Ni, HEA）與氧化物（ZnO, Ga2O3）等功能性薄膜製程。透過電鍍增厚與自發性剝離機制，實現大面積、可轉移之高品質單晶功能材料平台，有效提升二維材料及半導體元件性能並大幅降低成本。

本技術結合凡得瓦磊晶與自發性剝離機制，利用雲母無懸鍵特性突破晶格失配限制，開發出大面積、原子級平整之單晶金屬與氧化物薄膜。相較市售單晶基板極其昂貴且尺寸受限，本平台透過應力調控達成無損轉移與基板重複利用，大幅降低生產成本並保留理想界面品質，為二維材料與異質整合元件提供高品質單晶功能平台。

本平台透過高品質單晶金屬與氧化物轉移技術，突破先進封裝銅銅低溫鍵合瓶頸並大幅抑制IMC生成。相較市售基板具備顯著成本與生產效率優勢，可作為二維材料理想基底，並解決6G高頻傳輸損耗與功率元件熱管理痛點。本技術實現大面積、可撓式異質整合，為AI晶片、衛星通訊及柔性電子提供高性能材料解決方案。