本技術以磷離子植入未摻雜Ga₂O₃，在適當之植入能量與磷離子密度後，經熱處理，得以達到p-Ga₂O₃，經霍爾量測之結果可以證實為p-Ga₂O₃，在p-Ga₂O₃磊晶上成長n-type Ga₂O₃，得以實現水平之同質接面PN二極體。以上此些作法證實p型Ga₂O₃得以以磷離子植入未摻雜Ga₂O₃來實現。

本實驗室以離子佈植之方式進行p-Ga₂O₃之研究，從離子佈植、磊晶時同步摻雜方式(in-situ doping)探討 p-Ga₂O₃、甚至以水平元件、或垂直元件等方式驗證p-type Ga₂O₃，確認p-type Ga₂O₃是可以實現，且具其穩定性，可用以實現生產高品質的 p 型 Ga₂O₃ 材料。

P-type Ga₂O₃可以大幅擴展Ga₂O₃元件的種類，提升元件崩潰電壓，因此可以使用在更高電壓的PN二極體， PMOSFET, CMOSFET，深紫外光或x-Ray感測器等產品或設施上，亦可用於軍事武器中。