本技術以磷離子植入未摻雜Ga2O3，在適當之植入能量與磷離子密度後，經熱處理，得以達到p-Ga2O3，經霍爾量測之結果可以證實為p-Ga2O3，在p-Ga2O3磊晶上成長n-type Ga2O3，得以實現水平之同質接面PN二極體。以上此些作法證實p型Ga2O3得以以磷離子植入未摻雜Ga2O3來實現。

本實驗室以離子佈植之方式進行p-Ga2O3之研究，從離子佈植、磊晶時同步摻雜方式(in-situ doping)、甚至以水平元件、或垂直元件等方式皆可驗證p-type Ga2O3，確認p-type Ga2O3是可以實現，且具其穩定性，可用以實現生產高品質的 p 型 Ga2O3 材料。

P-type Ga2O3可以大幅擴展Ga2O3元件的種類，提升元件崩潰電壓，因此可以使用在更高電壓的PN二極體， PMOSFET, CMOSFET，深紫外光或x-Ray感測器等產品或設施上，亦可用於軍事武器中。