隨著AI與IoT興起，邊緣運算對NVM的需求大增。本計畫提出相容於先進鰭式邏輯製程的三維高密度 1T16R通孔電阻式記憶體 (3D Via RRAM)，具備無需額外光罩、可三維堆疊、高密度等優勢。透過設計與電性驗證展現其穩定性、低功耗與高速特性，適用於未來嵌入式系統的記憶體擴展需求。

三維記憶體於台積16nmFinFET平台實現，達0.4 Gb/mm²超高密度超越國際大廠，正開發潛力於7nm達1Gb/mm²已製作硬體及分析。獲IEEE VLSI Symposium肯定且於DemoSession展示。技術可延至非揮發邏輯元件、類神經網路及石墨烯導線，是高密度記憶體的有力解決方案。

三維堆疊Via RRAM完全相容台積邏輯製程。已於16nm FinFET平台實現0.4 Gb/mm²，優於國際水準，7nm節點具1 Gb/mm²潛力。其高可靠性、快速操作與穩定儲存，適合AI、IoT與嵌入式系統之邏輯NVM IP，具產業應用與技術轉移潛力，對先進半導體發展有高度貢獻。