為解決次世代半導體研發瓶頸，吳教授團隊開發出「DDCC-TCAD」多物理耦合模擬平台。率先整合Localized landscape理論，以超越千倍的速度，模擬量子效應，克服大尺度多維度問題分析的瓶頸。其價值已獲Meta等大廠商業權利金授權，並獲全球逾50國、上千學者下載使用，成功建立產學研生態系。

本技術的科學突破在於：
 
 一、開發全自主多物理耦合求解器，精準描述複雜固態系統。
 
 二、全球首創將「局部化景觀(LL)」理論引入半導體模擬，以千倍效率革新量子計算範式。
 
 三、獨創缺陷輔助傳輸模型，成功破解氮化物LED中V型缺陷與隨機波動的耦合效應，為全球首個能準確預測其IV-IQE行為

本技術提供媲美商軟、應用廣泛的半導體數位分身解決方案。其獨創的「局部化景觀(LL)」模型，能提供超越商軟的物理洞見，協助開發前瞻產品。技術價值已獲Apple、Meta等大廠商業授權驗證，創造逾千萬權利金收入。更重要的是，此自主平台打破國外壟斷，確保我國半導體產業的戰略安全與技術自主。