| 技術名稱 | 與CMOS技術完全整合無須額外光罩高效節能低成本的新型態「介電質熔絲潰單次編程記憶體晶片」 | ||
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| 計畫單位 | 國立中央大學 | ||
| 計畫主持人 | 謝易叡 | ||
| 技術簡介 | dFuse OTP之技術簡介:1.為首次發現的創新技術與傳統上OTP的anti-Fuse, eFuse, 和charge-storage儲存機制完全不同2.具備完整的專利保護3.與CMOS製程完全相容且不需額外光罩3.面積更小成本更低3.已在台灣前兩大foundries試量產成功. |
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| 科學突破性 | dFuse OTP之技術突破:１.操作電壓3V 2.編程速度1 微秒 3. 讀取速度＜20 奈秒 3.記憶窗口十萬倍 4.編程電壓與環境溫度無關 5.可在150度C中使用超過10年 6.實作40/28nm OTP晶片成功 7. BER~0. |
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| 產業應用性 | dFuse-OTP PUFs產業應用性:1.5G-AIOT潛藏巨大資安危機2.資安已列國家支持產業3.PUF是資安產業核心硬體關鍵部位4.OTP-PUF是市場上效能最好且成本最低 4.40nm dFuse-OTP PUF的馬賽克圖,intra-HD,inter-HD,HW特性均超出業界標準. |
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| 媒合需求 | 天使投資人、策略合作夥伴 |
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| 關鍵字 | 單次編程記憶體 嵌入式記憶體 非揮發記憶體 物聯網 人工智慧 資安 物理不可複製函數 晶片指紋 第五代通訊協定 | ||
| 備註 | |||
- 聯絡人
- 謝易叡
- 電子信箱
- erayhsieh@cc.ncu.edu.tw
