1.發展新穎具空氣穩定性的六聚氧化錫無機光阻，並建立專利平台
 2.針對線距(pitch)、EUV能量及線緣，新光阻EUV已達到設定目標，接近商用水準，比美商業光阻
 3.開發新型混合方法,以提升EUV奈米圖案的膜厚與邊緣抗蝕能力
 4.製備用於EUV微影技術的20奈米解析度干涉光罩

1.新光阻， HP = 13-16 nm J = 30-60 mJ/cm2, LWR = 5-7 nm.
 2.EBL:800μC/cm²，HP 17奈米、線寬15奈米，LWR 5.6奈米圖形
 3.12錫氧化物簇增加膜厚2.5倍，邊緣抗蝕提升2倍
 4.無機光阻, 優於商業光阻原生型分子。以電子

當IC製程邁向1.4奈米甚至更小時，無機光阻在EUV微影技術中展現出優勢。其主要原因之一是相較於有機材料，無機光阻對昂貴的EUV光具有更強的吸收能力。無機光阻薄膜僅需20–30奈米的相對較小厚度即可完成微影，而高分子光阻則需要35–40奈米。這種厚度上的特性確保了微影圖形的穩定顯影。