技術名稱 次世代鐵電記憶體:系統性優化與後段製程薄膜開發
計畫單位 國立臺灣大學
計畫主持人 胡璧合
技術簡介
本技術聚焦於鐵電記憶體,透過介面優化、操作時機調整與自動電路設計,延長元件使用壽命並降低性能衰退。同時開發能與後段製程相容的薄膜材料,提升熱穩定性,提供更快、更可靠的寫入速度,兼顧先進製程需求與未來應用。
科學突破性
本技術首度提出從製程、操作到電路的完整解決方案,透過介面處理、最佳化操作流程及輔助電路設計,有效提升鐵電記憶體的耐久度並降低時間損耗。同時比較不同薄膜堆疊方式,證明固溶體材料能在後段製程溫度環境下保持穩定並加快寫入速度。
產業應用性
本技術可望成為未來低功耗、高可靠度記憶體的核心方案,適用於 Edge-AI 等新興應用。透過前後段製程整合與材料創新,技術具備量產潛力並能加速先進半導體的應用落地。
  • 聯絡人
  • 胡璧合