單顆裸晶測試系統透過B1505A對下針位置、重複下針次數、刮痕長度與摩擦靜電對量測結果的影響進行比對，大幅優化量測的精準度與效率。將元件進行短路測試，探討短路造成之影響，再使用LTSPICE及TCAD模擬出短路測試波形，分析溫度對元件失效之物理機制，而後針對失效元件以光學及SEM方法進行分析。

本作品之科學突破性包含: (一)縮減量測時長，同時降低每次測試間的差異，建立出一套量測方法，有效提高量測準確度。(二)以模擬、實測進行元件短路測試分析，驗證元件缺陷對電性的影響與對結構造成的損壞。

高功率元件測試系統經由大量的量測，可以顯示在裸晶上不同位置的電性，進而得出在裸晶上最佳的下針位置。LTSPICE模型可以預測在短路下的電流電壓，並且得出元件內部的溫度，透過模擬來找出元件的極限值。若導入業界使用，可提升裸晶量測之精準度與效率與事先知道封裝元件在實際應用時的情況，從而避免元件損壞。