在超高真空環境下，成長超導薄膜材料後，立刻接續成長高品質封裝材料薄膜。以光蝕刻及電子微影技術製程，完成新式fluxonium超導量子位元製程。此技術製程下所製成之超導量子位元，能量耗散時間T1可長達3毫秒，接近世界記錄。

經高品質薄膜封裝的超導材料，可長期保持原有超導性並免受氧化影響。結合我們開發的光蝕刻製程，所製微波平面共振腔品質因素可超過百萬，且穩定維持超過14個月；相比之下，未採用此封裝技術的共振腔僅兩週內品質因素即下降一個數量級，展現本技術在超導材料保護與長期性能穩定上的重大突破。

此技術成長的高品質超導薄膜，不僅可製作高同調性量子位元晶片，推動量子資訊產業發展，亦具微波元件製程應用潛力，對無線通訊網路同樣具有實用價值。