電化學製程乃利用電洞進入表面原子化學鍵解離使蝕刻。N型半導體因缺電洞難以實施。現有方法是蝕刻時照射光產生電洞，或外加偏電場、磁場移電子暴露電洞方式進行，但造成變數。本技術使用晶圓鍵合技術，N型碳化矽背貼P型矽形成PN接面，轉界面功能以輸入電洞提高反應效率。蝕刻後P型矽可分離，可擴展至其他N型半導體。

應用晶圓鍵合法置P型半導體為中介電極以製作可拆卸的PN接面，加速電化學製程，不但避免磊晶摻雜污染及操作昂貴，且可用於多種N型半導體材料。技術概念可開發免接觸電極電化學裝置，驅動P型矽電洞於N型半導體同時進行多組電化學反應。實施例有加速N型碳化矽形成多孔層速率 200。完成後P型基板易移除回收。

碳化矽元件生產成本中基板材料佔55％。預測2027年電動車產量將達5000萬輛，需2500萬片碳化矽晶圓，材料加工製程是發展關鍵，切磨拋成本佔25-30％且技術障礙高。其中加速薄化是重要技術發展方向，本技術利用晶圓鍵合調整界面功能，轉變載體流成為注入性「主流電流」，加速性可擴大切磨抛加工市場佔有率。