技術名稱 SiC 第三類半導體晶圓材料快速薄化
計畫單位 國立中央大學
計畫主持人 李天錫
技術簡介
捨去傳統以稍高硬度之鑽石顆粒,硬碰硬損傷、削掘表面達到研磨薄化方式,我們首先以電化學製程選擇性蝕去晶體結構中特定成分原子(矽),使基板依照輸入之電量呈現一定深度之海綿狀結構,再以一般性柔軟性磨料移除此海綿狀結構,而能在實心/海綿分界處停止薄化,達到可控性、準確、快速薄化碳化矽目的。
科學突破性
揚棄傳統強壓應力的切削研磨技術,本技術以電化學理論發展新式碳化矽薄化技術。本技術能根據法拉第電解定律,用輸入電量精準控制擬移去材料之厚度。在電化學製程中選擇性移除碳化矽結構中矽原子,留下碳原子骨架,大幅弱化基板強度。經XRD和晶格間距檢測確定,研拋液中懸浮粒為氟化石墨烯(GF),具有高度回收價值。
產業應用性
碳化矽為發展高電壓、高功率半導體元件最重要的第三類半導體基板材料。以電動車產業使用碳化矽功率半導體晶片數量最高。知名市調專家Yole預測2027年電動車產量高達5000萬輛!依照兩部車需消耗六吋碳化矽晶圓一片來估算,需要量即高達2500萬片!因此高效率碳化矽基板薄化製程的發展是有急迫性與必須性!
關鍵字 碳化矽 快速薄化 電化學 氟化石墨烯 研磨 拋光 法拉第定律 電解液 陽極氧化 第三類半導體
備註
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  • 吳俊煌
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