TSRI與旺宏共同開發全新3D動態隨機存取記憶體(3D DRAM)，為針對人工智慧(AI)晶片所需高頻寬與高密度記憶體需求的最佳解決方案。

採用新材料(氧化銦)與無電容(Capacitor-less)結構，利用低溫製作技術，不僅大幅提高記憶體密度，還顯著改善了功耗表現。

具備極高國際競爭力，此研發領先日美韓等大廠，證明台灣在次世代記憶體技術的領先地位，有助於進一步布局全球AI晶片領域。