| 技術名稱 | 次世代高速電子元件材料 - 氮化鎵半導體磊晶與製程技術開發 | ||
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| 計畫單位 | 台灣半導體研究中心 | ||
| 計畫主持人 | 許隆興 | ||
| 技術簡介 | 建立台灣8吋氮化鎵(GaN)磊晶產學研服務平台，提供國內研究者穩定且高品質的化合物磊晶片與矽/非矽透明基板之元件製作環境。 |
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| 科學突破性 | 展現氮化鎵材料在新能源、高頻功率系統及低軌道衛星等前瞻產業的落地應用與技術實證，大幅提升國內化合物半導體研發量能。 |
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| 產業應用性 | 支援大南方新矽谷方案，提供高品質磊晶片，促進新能源車、5G/6G高頻通訊及低軌衛星等前瞻產業的技術落地與商業化發展。 |
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- 聯絡人
- 許隆興
- 電子信箱
- algerhsu@niar.org.tw
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