EUV (極紫外光) 反射鏡為先進微影關鍵元件，國儀中心所開發之 EUV 反射鏡由數十對交替堆疊的鉬 (Mo) 與矽 (Si) 奈米薄層組成，且需經過極高精度的設計與沉積控制，使其形成特定結構以達到反射品質。本技術未來將應用於國儀中心獨立式極紫外波長檢測服務平台之收光系統中，展現其在高精度光學與先進

採用 Mo/Si 奈米多層膜精密交替堆疊，結合極高精度沉積與奈米級表面拋光控制，並以反射式光學設計突破 EUV 在大多數材料中容易被吸收的限制，成功在 13.5 nm波長下達成約 70 高反射率，展現奈米尺度光學設計與製程整合能力的關鍵突破。

本技術可支援先進半導體 EUV 微影製程，是製造 5 奈米以下甚至更先進製程晶片的關鍵光學元件，同時可應用於 EUV 光源檢測、光學校準與量測系統，提升製程監控精度。此外，其高精度奈米多層膜與表面控制技術，也可延伸至高端精密光學、科研儀器與極紫外光應用設備領域，具備半導體供應鏈核心與高附加價值應用潛