光誘導精準原子層鍍膜 (PI-ALD)，藉由特殊機構設計，成為全球唯一導入光催化反應於物質沈積的技術，能有效解決先進製程上溝渠填補的製程痛點，同時，又可藉由控制光催化達到差異性鍍膜的全球唯一技術。藉由此技術沈積的薄膜同時具有更低的表面粗糙度、更低的官能基元素如碳氧之殘留、更低的金屬電阻率、更快的成膜

"	以光子誘發化學反應與原子擴散，精準控制薄膜沈積，解決填孔時產生的孔洞與縫隙缺陷
	以光子誘發前驅物與反應物斷鍵，大大降低官能基C, O, N等雜質殘留，提高鍍膜品質，例如金屬導電率
	以多層分子吸附技術，倍速提升鍍膜速率
	以光子誘發自由基主導化學沈積，無帶電離子造成之元件損傷
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光誘導原子層沉積利用紫外光或可見光激發前驅物反應，可在低溫下進行沉積，並達成區域選擇性成長。主要產業應用包括：半導體先進製程的選擇性沉積與自對準圖案化、降低熱預算以保護溫度敏感元件；軟性電子與 OLED 顯示的低溫薄膜封裝；以及光催化、感測器與透明導電膜等領域。其光控時空精度，契合異質整合與微縮趨勢