在銅導線上全程400 ℃低溫方式製作高品質石墨烯，此石墨烯/銅複合導線擁有優於純銅之導電度，是實現高密度晶片之關鍵技術。

以400 ℃低溫製程製備石墨烯於不同線寬的銅導線以及N16晶片之銅導線上，由拉曼頻譜證實此石墨烯的缺陷低，並且石墨烯/銅複合導線的導電度高於純銅。此技術將有高度潛力應用於現有後段製程，加速高密度晶片的開發。

石墨烯具有高導電性、高電子遷移率、高透光性、高導熱性與可撓曲等優點，然而傳統石墨烯的製備溫度過高，此低溫成長石墨烯技術不僅可實際應用於連接電晶體的導線，亦可用於多項電子、光電或生醫元件之電極。另一方面，石墨烯具有可撓性，此技術開發之石墨烯可作為柔性元件或電路之電極或主動層，解決傳統材料無法撓曲的缺點。