| 技術名稱 | 在二維晶體異質結構上製作具奈米等級通道長度之過渡金屬二硫化物電晶體 | ||
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| 計畫單位 | 國立臺灣大學 | ||
| 計畫主持人 | - | ||
| 技術簡介 | 根據(a)二硫化鉬在短通道時優異的表現(b)石墨烯在二硫化鉬上擁有極低的接觸電阻(c)可磊晶成長石墨烯/二硫化鉬異質結構，我們提出藉由在石墨烯/二硫化鉬異質結構上應用原子力顯微鏡區域氧化法製作出一種新的二硫化鉬電晶體結構。隨著沉積外加的閘極介電層，奈米尺度通道的下閘極和上閘極元件可以被製造出來。 |
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| 科學突破性 | 相較於石墨烯，二硫化鉬電晶體具有高開關電流比。藉由使用石墨烯作為電極降低接觸電阻和使用原子力顯微鏡氧化法減少通道長度，高特性奈米尺度通道的二硫化鉬電晶體能夠被製作以利實際應用。 |
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| 產業應用性 | 10 nm 技術節點電晶體，主要可能需求業者為晶圓代工業如台積電 - |
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| 關鍵字 | __ | ||
| 備註 | |||
- 聯絡人
- 黃慧嫺
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- futuretech.most@gmail.com
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