一全新且符合IC製程的氣體感測晶片製造技術；晶片上奈米電子元件低參雜區，成長不同氣體感測材料，形成氣體感測陣列。氣體感測時，個別奈米元件以焦耳熱自熱工作，降低感測功率消耗至微瓦/元件，解決目前氣體感測器高功率消耗問題，並與智慧裝置結合。經溫、溼度與干擾氣體的自我校正，解決定量、專一性與靈敏度等問題。

I+NOSE氣體感晶片是唯一以IC製造的感測器晶片，響應在5~1000 ppm CO偵測區間完全線性，溫、溼度在同一晶片上進行校正，且唯一能同時偵測兩種氣體，可持續增加同時偵測氣體種類並進行不同氣體交叉干擾校正補償。I+NOSE晶片面積是市售最小產品的1/8，功耗則是目前市售功耗最小產品的1/76。

本技術提供目前氣體感測公司與智慧裝置公司企圖達成的各項目標。由於陣列式的感測架構，可持續同時偵測多種氣體，並進行不同氣體交叉干擾校正補償，可解決目前氣體感測器的定量、專一性與靈敏度等問題。加上晶片面積最小，功耗最小等特性，除了環境氣體偵測外，未來將應用到人體呼出氣體的疾病檢測，體現AIoT智慧生活。

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