此技術包含有機金屬化學蒸氣沉積過程之氣體流量、氣體種類、成長溫度等參數之設定與控制；亦包含磊晶結構如緩衝層，通道層，位障層與覆蓋層的設計與成長。此技術可成長5 m厚的氮化鋁鎵高電子遷移率電晶體磊晶層於6吋矽基板上，二維電子氣濃度為8.8×1012 cm-2下，室溫電子遷移率達2,040 cm2/V-s。

本實驗室研究有機金屬化學蒸氣沉積法(MOCVD)成長氮化鎵異質結構多年，可精準控制包括成長溫度、成長壓力、氣體流量、載氣種類、前驅物種類、磊晶結構之組成與厚度，已開發出品質具國際競爭力之氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化鋁銦(AlInN)以及氮化鋁銦鎵(AlInGaN)高電子遷移率電晶體於6吋矽基板上。

本技術為氮化鎵高功率電子元件與通訊電子元件之材料製備技術，位於產業鏈之上游端，所產出之磊晶片可製作成新世代高功率電晶體及射頻放大器，應用於包括高能效高功率密度之無線充電器、電源供應器、電源轉換器(資料中心)、逆變器、電動車、5G通訊功率放大器與相位雷達、感測器等領域，未來全球市場規模與成長性可觀。

半導體射月計畫