技術名稱 磁刺激腦波聰明帽
計畫單位 國立中央大學
計畫主持人 李柏磊
技術簡介
本技術開發一種輕巧創新腦磁刺激聰明帽,藉由開發薄性線圈設計,讓腦部磁波刺激裝置的重量與體積大大縮小,提昇磁波刺激的穿戴性與可攜性,讓腦波磁波刺激的應用範圍提升於學習應用場域。我們透過前額葉與顳葉的腦磁場刺激,可增加大腦神經元活性與血液循環量,提高大腦認知功能運作。此頂聰明帽使用重複性穿顱磁刺激,其刺激強度目前可以達到3000 ~ 10000 高斯,刺激頻率可調1 Hz ~ 20 Hz,並可進行間歇式的穿顱磁刺激。腦波量測裝置方面,腦波電訊號擷取晶片為德州儀器 TI ADS1299, 核心處理器的選用為 Cortex M4 STM32F104。訊號取樣率可以達到 2k Hz samples/ sec, 訊號解析度 24bits。而在量測生理電訊號的同時,該裝置可同步紀錄外在事件變化,在生理電訊號上有事件標記(Event marker),有利於事件相關電位(Event related potential, ERP)之分析。腦波電極為彈簧針狀乾式電極,其目的在於可避免濕式電極穿戴上的不便利性。腦波資料可透過藍芽傳送至雲端系統進行分析,可即時了解使用者的學習狀況。為了達到穿戴上的舒適性,該頂腦波帽之重量為0.5公斤,讓使用者的穿戴負擔不會過大。
科學突破性
本技術開發微型化磁刺激發射器,已將小面積刺激閘數提高至80閘,亦即在小電流的情況,可將磁場刺激強度提高至3000~10000高斯,這可使得該裝置可以更加微型化,並且在穿戴裝置設計上,有更多的便利性與舒適度。
產業應用性
本技術可應用之產業為教育學習領域,例如課堂教室、數位學習平台、自主學習等等。其應用性在於聰明帽可強化腦部神經元之活化程度,提高學習者認知腦區之活躍性,進而提高學習者的學習成效。
關鍵字 聰明腦波帽 腦電波 穿顱磁刺激
備註
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  • 許顥騰
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