• 技術名稱
  • 高熵合金薄膜電阻材料
  • 計畫單位
  • 國立屏東科技大學
  • 展區位置
  • 僅供線上展示
  • 聯絡人
  • 林似容
  • 電子信箱
  • zxcv6331zxcv@gmail.com
技術說明 薄膜電阻主要要求為高電阻率, 低電阻溫度係數(TCR,±50 ppm)及電阻值精確度(±0.1 );為符合此規格,薄膜組成為設計重點,本技術以Ni-Cr-Mn-Y-Ln製備薄膜合金電阻,也已獲得台灣發明專利(I525196, I612538, I641001 )及美國專利(US 10,121,57
科學突破性 薄膜電阻合金(五元高熵合金)介紹:一種薄膜電阻高熵合金(五元)包含:以原子百分比計為38~60的鎳、10~25的鉻、3~10的錳、4~18的釔及1~36的鑭系元素。本技術薄膜電阻合金得以在低溫度電阻係數下,大幅提高其電阻率,以達到增加該薄膜電阻合金的應用性之功效。
產業應用性 \"全球每年薄膜電阻的使用量較厚膜電阻少,但因產品價格也是倍數之差(毛利可高2~3倍),故若以總產值計算,薄膜市場不可輕忽。外商為主要供應者:台灣廠商在厚膜製程的晶片電阻領域中,全球市佔率已位居榜首,相較下,薄膜製程的電阻產品仍是少數,日商及歐美(Vishay、Rohm、SUSUMU) 為主要供應者
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