技術名稱 利用氮氣電漿處理法製作高效能射頻應用之砷化銦鎵鰭式場效電晶體
計畫單位 國立交通大學
計畫主持人 張翼
技術簡介
本技術使用原子層沉積(ALD)沉積完閘極氧化層後利用氨氣與氮氣電漿處理法(Post Remote Plasma Treatment),有效改善氧化層的品質與砷化銦鎵接面,且擁有很好的DC特性以及優異之高頻響應,有望滿足未來特高頻應用之要求。
科學突破性
利用氨氣與氮氣電漿處理法,可有效改善氧化層的品質與砷化銦鎵材料接面,使得鰭式電晶體開啟電流達到120μA/Fin和開啟電流= 3.25 mA /μm(Vds = 1 V);轉導峰值為3.8 mS /μm,Q值为40.4,而截止频率(ft)和最大震盪频率(fmax)分別為475 和 1016 GHz。
產業應用性
本技術使得砷化銦鎵FinFET有更佳之頻率響應,甚至可達Terahertz(THz)波段,不僅可應用於下一代網路及通訊系統,更可於未來衛星通信/航空/國防的應用( 100-340 GHz)。並可與矽 CMOS技術作整合,實現特高頻(THZ)圖像成像,有助於發展國防、感測器以及醫學分析系統。
關鍵字 高介電常數 三五族 砷化銦鎵 金氧半導體電晶體 鰭式電晶體 界面 電漿輔助原子層沉積 遠距電漿處理 截止頻率 最大震盪頻率
備註
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  • 何焱騰
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