技術名稱 垂直剩餘通道之三維電晶體
計畫單位 國立臺灣大學
計畫主持人 -
技術簡介
利用側向蝕刻之設計,可以得到比微影限制更小的三維元件通道長度。
科學突破性
當元件最小通道長度非由微影控制時,能夠節省相關設備費用;而剩餘的大面積源極/汲極亦能降低接面電阻。
產業應用性
需要短通道長度之三維半導體元件製程技術。
關鍵字
備註
  • 聯絡人
  • 黃慧嫺
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