利用垂直式電晶體之架構並與現有之鰭狀電晶體製程整合，在不大幅改變製程的情況下，實現垂直電晶體的結構。該結構可達通道長度小於10奈米，且具有2400 A/m 之電流。

此一垂直電晶體結構可與現有之鰭狀電晶體製程整合，並可利用通道材料沉積厚度定義通道長度，由於非以曝光方式來定義通道長度，所以不受光學限制，通道長度可達10奈米以下。

在半導體製程持續微縮的情況下，因為曝光技術的限制，必須改用垂直通道式電晶體。其通道長度不再由曝光所決定，而是利用通道材料成長厚度決定，且其可在相同面積下可取得較大之操作電流。