利用設計之負電容場效電晶體(NCFET)閘極，能夠消除電壓電流特性中的電滯現象，並達成次臨界擺幅約40mV/decade。

達成次臨界擺幅  60mV/decade的同時，元件有足夠大的導通電流及無電滯現象的輸出特性曲線。

降低功率損耗可應用於需要次臨界擺幅(sub-threshold slope)  60mV/decade 之半導體元件。