利用先進記憶體元件進行人工知慧、深度學習，可大為降低功耗。本計畫預計參展利用電腦模擬多種先進記憶體元件之手寫數字辨識及所需功耗，並與軟體進行比較。

目前國際上完成類似實驗者有 IBM (相變化記憶體) 及 UC Santa Barbara (電阻式記憶體) 等，均在早期開發階段，距離量產至少五至十年。本實驗室利用鐵電記憶體 (Ferroelectric Memory) 進行類似深度學習實驗，期望利用更高的元件耐久性 (endurance) 克服

AI 晶片設計（晶元代工、晶片設計、電腦輔助設計軟體）