| 技術名稱 | 運用濺鍍金屬後硫化所製作出之過渡金屬二硫化物異質結構在元件的應用 | ||
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| 計畫單位 | 國立臺灣大學 | ||
| 計畫主持人 | 李嗣涔 | ||
| 技術簡介 | 本專利技術運用重複性過渡金屬濺鍍及硫化的流程製作出大面積且均勻的二硫化物異質結構來作為元件的應用。此成長方式先天上便有利於 (a) 選擇性成長及 (b) 不需要許多不同的前驅物來成長異質結構。 |
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| 科學突破性 | 本專利技術運用重複性過渡金屬濺鍍及硫化的流程製作出大面積且均勻的二硫化物異質結構來作為元件的應用。此成長方式先天上便有利於 (a) 選擇性成長及 (b) 不需要許多不同的前驅物來成長異質結構。 |
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| 產業應用性 | 相較於其他著重於基礎研究的團隊，本項技術研究目標鎖定在可供實用的大面積二維材料的成長及新穎的元件結構的研究。 |
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| 關鍵字 | |||
| 備註 | |||
- 聯絡人
- 黃慧嫺
- 電子信箱
- futuretech.most@gmail.com
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