| 技術名稱 | 透過加入固定電荷的氧化層的方式達到無遲滯的陡峭次臨界斜率元件 | ||
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| 計畫單位 | 國立臺灣大學 | ||
| 計畫主持人 | 李嗣涔 | ||
| 技術簡介 | 透過加入一固定電荷的氧化層, 使得金屬氧化物半導體場效電晶體的電容曲線平移相同的固定電荷之電荷量, 進一步使負電容場效電晶體之總電容為負的區間縮小, 達到縮小電容場效電晶體之遲滯曲線區間的效果，這樣的設計結構也可以用在其他種電容場效電晶體，像是完全空乏元件和多閘極結構。 |
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| 科學突破性 | 透過加入一固定電荷的氧化層, 使得金屬氧化物半導體場效電晶體的電容曲線平移相同的固定電荷之電荷量, 進一步使負電容場效電晶體之總電容為負的區間縮小, 達到縮小電容場效電晶體之遲滯曲線區間的效果，這樣的設計結構也可以用在其他種電容場效電晶體，像是完全空乏元件和多閘極結構。 |
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| 產業應用性 | 過去NCFET面臨的取捨在於：要達到無遲滯現象的負電容場效電晶體,鐵電材料的厚度必須限制在150奈米以下,然而越低的次臨界斜率卻需要越厚的鐵電材料來達成。本項專利透過加入固定電荷的氧化層的方式達到無遲滯的陡峭次臨界斜率元件。在過去的研究中，負電容場效電晶體之遲滯現象與陡峭次臨界斜率元件之間有取捨關係 |
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| 關鍵字 | |||
| 備註 | |||
- 聯絡人
- 黃慧嫺
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