本技術為閉迴路控制的碳化矽驅動IC設計，針對 SiC 元件高速切換特性，導入斜率偵測與主動補償架構，可有效控制 di/dt、dv/dt，降低EMI與過電壓，適用於高功率密度與高效率電源轉換應用。整體IC系統內建電流源與電流槽調控，具備記憶性控制功能，以迭代方式調控制目標斜率。

本技術突破傳統固定電阻驅動架構，首創整合斜率偵測、主動補償與記憶控制之驅動IC，可實現動態調控閘極電流與切換斜率，提升精度與穩定性。

本技術應用於電動車、高效能電源模組與再生能源系統，具備Slew Rate動態調控能力，可有效抑制EMI、提升切換品質。因應SiC元件參數變異與寄生效應，驅動能力可精準調整，有效降低系統設計難度與sorting成本，提升整體效能與可靠性。