本技術結合聚焦離子束針狀樣品製備、球像差修正電子顯微鏡與三維斷層重組技術，得到非壞性三維電晶體原子結構達1.8埃解析度。從而計算電晶體內之三維原子結構、三維原子級側壁粗糙度、三維原子級元素分布、三維原子級應力分布，為先進元件與相關製程提供更全面的檢測視野。

目前發表文獻中三維原子技術主要為利用奈米顆粒進行觀念證明的狀態，尚未將此技術推展到半導體樣品。本團隊目前發展的成果，以1.8埃解析度解析電晶體內原子結構、介面粗糙度、元素與應力分佈為全球僅見。

本技術為團隊獨立發展毋須假手國外協助，為真正國產技術。此技術曾完成過台積電的委託案件測試，產業應用性明確。而原子級影像收集的自動化與三維重組搭配圖形處理器(GPU)計算更將需要一個月才能完成的案件加快至僅需一天內即可完成，達到不僅是可行且可量化的產業應用可能。