目前業界所使用的3DIC中介層基板材料以矽基板與玻璃基板為主，然而矽基板因電絕緣性不佳存在著漏電與雜訊問題，而玻璃基板則是因導熱性不夠好而產生嚴重之散熱問題。中科院開發具有絕緣高導熱特性之氮化鋁基板，可解決目前3DIC中介層基板所面臨的漏電、雜訊及散熱問題。
 3DIC技術中對不同中介層垂直連接穿孔(Through Via)等的電性及非理想效應，仍是產業研發上所注重的問題，在穿孔尺寸微縮的趨勢下，開發具有高導熱及絕緣性佳的高寬比的氮化鋁導通孔中介層基板，除了能降低微型化高功率的多晶片堆疊型商品的熱累積效應外，亦藉由其高介電常數特性，可減少導線間的相互干擾，提升產品電性。
 本技術可應用於3DIC中介層基板之填孔與金屬堆疊線路製作，進而縮小元件體積，提升元件操作速度與效率。另一方面，本技術亦可搭配氮化鋁TAV通孔技術，可發展氮化鋁三維封裝LED，優勢為可做雙面電路製程，縮小LED照明模組面積，單顆晶片即可達高亮度能力。

氮化鋁具有良好導熱性及絕緣性，開發氮化鋁基板製程技術可有效達成現今3DIC電路微型化要求，降低封裝技術中所遇到的漏電、高頻干擾及熱源集中等問題，有助於提升薄型化堆疊式高功率模組等類似產品之性能及可靠度。

散熱基板、陶瓷構裝基板、3DIC中介層基板