採用奈米尺度的蝕刻技術，在商用的綠光二極體磊晶片製作環形奈米結構，以應力釋放機制調變發光波長，於單一磊晶片上製作出綠光和藍光的微型發光二極體，並導入原子層沉積鈍化保護技術，大幅提升發光效率，最後結合高精準度的量子點噴塗技術，實現微米級RGB三原色的全彩畫素，本技術可望大幅減少巨量轉移的次數。

1. 單晶片集成式微型發光二極體RGB全彩畫素 (直徑僅10微米)
2. 奈米結構蝕刻應用於發光二極體波長調變技術
3. 原子層沉積技術提升元件光致發光強度達140
4. 導入高均勻性、線寬小於2微米的高精密量子點噴塗技術
5. 實現105的NTSC以及78的Rec. 2020色域，符合全彩

1.	集成式晶片可減少巨量轉移次數，提升製程良率及throughput
2.	可應用於各類型顯示器、可見光通訊範疇
3.	高精密度的噴塗技術可用於實現各種流體、膠體、薄膜甚至金屬線的製程，彌補傳統半導體製程無法適用的領域
4.	原子層沉積技術可改善III-V族半導體因製程缺陷所導致效能不佳等問題