技術名稱 雙指數機制運作電晶體
計畫單位 國立臺灣大學
計畫主持人 李嗣涔
技術簡介
"	電流導通為垂直方向的氧化層穿隧電流,藉由邊際電場效應(fringing field effect)使主導電流沿周邊流通,利用substrate少數載子數量之控制,引發源極流往汲極等效的多數載子Schottky Barrier Height 之調變,進而得到有效之電流變化。
	鄰近MOS場效應
科學突破性
"*電流導通為垂直方向的氧化層穿隧電流,藉由邊際電場效應(fringing field effect)使主導電流沿周邊流通,利用substrate少數載子數量之控制,引發源極流往汲極等效的多數載子Schottky Barrier Height 之調變,進而得到有效之電流變化。
*鄰近MOS場效應控制
產業應用性
傳統MOSFET電流大小是由閘極控制通道內之載子,通道長度Lg受限於technology node。對於低功耗積體電路,其核心元件電晶體需能操作於小偏壓,但能有效驅動開關,SS值小具有關鍵指標。本專利提出新的元件結構應用,SS值可小於60 mV/dec,對於未來低功耗積體電路整合極具應用潛力。本專利
關鍵字
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  • 黃慧嫺
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